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[发明专利]探测器系统和辐射成像装置-CN201811580796.7在审
发明人：田阳;李玉兰 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本公开提供了一种探测器系统和辐射成像装置。探测器系统包括：探测器，包括重叠设置的多层探测器层，探测器层包括探测器元件层，多层探测器层中至少部分探测器层沿探测器层的厚度方向可移动；距离调节装置，与多层探测器层中至少部分探测器层驱动连接，距离调节装置通过沿探测器层的厚度方向移动至少部分探测器层调节探测器的相邻的探测器层的层间距离辐射器成像装置包括前述的探测器系统。本公开的探测器系统和辐射成像装置利于实现全方向、高效率和高角度分辨的探测效果。
探测器层探测器系统辐射成像装置多层探测器距离调节装置探测器探测器元件层间距离成像装置角度分辨驱动连接重叠设置辐射器高效率可移动探测移动

[实用新型]探测器系统和辐射成像装置-CN201822172193.5有效
发明人：田阳;李玉兰 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本公开提供了一种探测器系统和辐射成像装置。探测器系统包括：探测器，包括重叠设置的多层探测器层，探测器层包括探测器元件层，多层探测器层中至少部分探测器层沿探测器层的厚度方向可移动；距离调节装置，与多层探测器层中至少部分探测器层驱动连接，距离调节装置通过沿探测器层的厚度方向移动至少部分探测器层调节探测器的相邻的探测器层的层间距离辐射器成像装置包括前述的探测器系统。本公开的探测器系统和辐射成像装置利于实现全方向、高效率和高角度分辨的探测效果。
探测器层探测器系统辐射成像装置多层探测器距离调节装置探测器探测器元件层间距离成像装置角度分辨驱动连接重叠设置辐射器高效率可移动探测移动

[发明专利]单光子发射断层成像装置-CN202110288178.0有效
发明人：马天予;刘亚强;王学武;王忠 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本公开提供了一种单光子发射断层成像装置，包括：多个探测器层，所述多个探测器层包括沿光子运动方向排布的至少两个探测器层，所述至少两个探测器层包括沿光子运动方向第一探测器层和第二探测器层，所述第一探测器层和/或第二探测器层包括闪烁晶体和反光结构。
光子发射断层成像装置

[实用新型]一种基于物联网的电梯运行监测装置-CN201520380275.2有效
发明人：杨帅 -专利权人：淮安信息职业技术学院
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： B66B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于物联网的电梯运行监测装置，它涉及电梯技术领域；感知层与网络层连接，网络层与平台层连接，平台层与应用层连接；所述的感知层包含主机、摄像机、湿敏探测器、位置探测器、光接收探测器、考勤探测器、语音通话装置、人体红外探测器，摄像机与网络层连接，主机分别与湿敏探测器、位置探测器、光接收探测器、考勤探测器、语音通话装置、人体红外探测器连接；本实用新型便于实现快速监测，且能收集数据，使用方便，操作简便
一种基于联网电梯运行监测装置

[发明专利]一种光电探测器及其制作方法-CN202010711530.2在审
发明人：周幸叶;谭鑫;吕元杰;王元刚;宋旭波;韩婷婷;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括：衬底、紫外功能层、红外功能层、紫外探测器和红外探测器；所述紫外功能层和所述红外功能层间隔设置于所述衬底上，所述紫外探测器和所述红外探测器分别位于所述紫外功能层和所述红外功能层上本发明通过在同一衬底上进行紫外功能层和红外功能层外延，可以在紫外功能层和红外功能层分别制作紫外探测器和红外探测器，实现了紫外探测器和红外探测器的单片式集成，集成后的光电探测器封装简单、体积小、成本低，且能够实现红外波段和紫外波段的同时检测
一种光电探测器及其制作方法

[发明专利]近-远红外宽光谱超晶格探测器-CN202210125761.4在审
发明人：崔素宁;牛智川;蒋洞微;王国伟;徐应强;吴东海;郝宏玥;陈伟强;蒋俊锴 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种近‑远红外宽光谱超晶格探测器，包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；在缓冲层上依次叠层设置的甚长波红外探测器、中波红外探测器和短波红外探测器；甚长波红外探测器与中波红外探测器之间依次设置有P+隧道结、N+隧道结，使甚长波红外探测器与中波红外探测器同时响应；中波红外探测器与短波红外探测器之间设置有载流子势垒阻挡层本发明提供的探测器可以同时完成短红外波段、中红外波段、甚长波红外波段的探测，满足1μm～16μm宽光谱红外探测的要求。本发明提供的探测器通过设置甚长波通道空穴势垒层和载流子势垒阻挡层，可以降低探测器器件的暗电流，提高探测率。
红外光谱晶格探测器

[发明专利]一种半导体器件-CN201811567572.2在审
发明人：左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括Si衬底、Ge层、光源GeSn层、波导GeSn层、探测器GeSn层、光源p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Ge层、光源p+掺杂Si层、探测器p+掺杂Si层、光源保护层、探测器保护层、第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层、电极各层由下至上依次层叠设置于Si衬底上；第一应力膜设置于第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层上和两侧及波导GeSn层两侧；第二应力膜设置于探测器GeSn层、探测器p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Si层、探测器保护层两侧及探测器保护层上。本发明通过使用Si基改性Ge材料，实现光源、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。
一种半导体器件

[发明专利]探测器及其制造方法-CN201110186142.8有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：一种探测器及其制造方法，该探测器包括：硅衬底；位于硅衬底上的金属反射层；位于所述金属反射层上的微桥探测器结构，依次包括：敏感材料探测层、金属电极层以及包围所述敏感材料探测层和所述金属电极层并起到保护作用的释放保护层；以及探测器外围支撑结构，其中，所述探测器外围支撑结构为无柱支撑机构。本发明探测器通过先制作探测器微桥结构，然后制作包含释放孔的释放保护层以及覆盖释放孔的增透材料层，在探测器外围形成无柱的支撑结构，从而实现了探测器产品的芯片级真空结构，解决了探测器释放封装时的成品率损失，
探测器及其制造方法

[发明专利]可平铺多层探测器-CN200710149040.2无效
发明人： J·E·特卡奇克;J·D·肖特;J·W·勒布朗;J·W·罗斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明公开提供了一种探测器组件(70)。该探测器组件(70)包括：具有顶面和底面的第一探测器层(72)，其中该第一探测器层(72)包括多个第一耦合间隙(74)。此外，探测器组件(70)包括第一互连结构(80)，操作地耦合到该第一探测器层(72)且配置成有利于将第一组图像数据从该第一探测器层(72)传输到底板电子电路(92)。探测器组件(70)还包括第二探测器层(76)，具有顶面和底面且置为相邻于该第一探测器层(72)的底面，其中该第二探测器层(76)包括配置成有利于该第一互连结构(80)从该第一探测器层(72)通过其到该底板电子电路
平铺多层探测器

[发明专利]光电探测器芯片结构-CN202310822497.4在审
发明人：王文亭;田震;付孟博;陶冶;刘杰涛;祝宁华 -专利权人：雄安创新研究院
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器芯片结构，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底上，用于降低层间的界面自由能；其中，缓冲层包括下缓冲层和上缓冲层；第一光波导层，形成于下缓冲层与上缓冲层之间；用于传输激光信号并进行激光信号的耦合；光电探测器层，形成于上缓冲层上；其中，光电探测器层由多个光电探测器构成，多个光电探测器周期性间隔排列于上缓冲层的表面。本发明提供的光电探测器芯片结构，通过设置周期性间隔排列的多个光电探测器，有效增大光电探测器芯片中有源区的面积，且这种级联结构可以避免因电容随有源区面积增加而导致的带宽下降问题，有效提高光电探测器芯片的响应度，进而提高光电探测器芯片的性能。
光电探测器芯片结构

[发明专利]具有单一探测器的PET‑CT系统-CN201180055216.2有效
发明人： C·赫尔曼 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：具有第一探测器层（24）和第二探测器层（26）的辐射探测器（16）包围检查区域（14）。所述第一层的探测器包括闪烁体（72）和诸如雪崩光电二极管的光探测器（74）。所述第二探测器层（26）的所述探测器包括闪烁体（62）和光探测器（64）。所述第一层的所述闪烁体（72）具有比所述第二层的所述闪烁体（62）小的横断面。一组，例如九个所述第一层闪烁体（72）覆盖每个第二组闪烁体（62）。在CT模式下，所述第一层探测器探测透射辐射以生成具有相对高分辨率的CT图像，并且所述第二层所述探测器探测PET或SPECT辐射以生成用于重建为较低分辨率发射图像的核数据。因为所述第一层探测器和第二层探测器是对齐的，所以所述透射图像和所述发射图像固有地是对齐的。
具有单一探测器 pet ct 系统

[发明专利]单光子发射断层成像装置-CN202010840355.7在审
发明人：马天予;刘亚强;王学武;王忠 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本公开提供了一种单光子发射断层成像装置，包括：多个探测器层，所述多个探测器层包括沿光子运动方向排布的至少两个探测器层，所述至少两个探测器层包括沿光子运动方向在前的探测器层和在后的探测器层，所述在前的探测器层包括闪烁晶体阵列和硅光电倍增器件，所述闪烁晶体阵列中相邻的闪烁晶体条，其耦合的硅光电倍增器件的数目、尺寸和相对闪烁晶体阵列的位置至少有一个不同，即可分辨出不同伽马光子方向信息，使来自不同方向的伽马光子穿过所述在前的探测器层的概率不同，从而使所述在前的探测器层对所述在后的探测器层具有伽马光子准直的效果。
光子发射断层成像装置

[实用新型]一种半导体器件-CN201822145590.3有效
发明人：左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件，包括Si衬底、Ge层、光源GeSn层、波导GeSn层、探测器GeSn层、光源p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Ge层、光源p+掺杂Si层、探测器p+掺杂Si层、光源保护层、探测器保护层、第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层各层由下至上依次层叠设置于Si衬底上；第一应力膜设置于第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层上和两侧及波导GeSn层两侧；第二应力膜设置于探测器GeSn层、探测器p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Si层、探测器保护层两侧及探测器保护层上。本实用新型通过使用Si基改性Ge材料，实现光源、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。
探测器掺杂氧化层光源探测器保护波导半导体器件本实用新型应力膜衬底工艺成本光源保护器件结构依次层叠基改性集成度同层制备

[发明专利]一种近红外单光子探测器-CN200710179891.1无效
发明人：曹延名;吴孟;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明是一种近红外单光子探测器。所述探测器包括：衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，超晶格倍增层，电场控制层，带隙渐变层和光吸收层。通过引入超晶格结构，以及吸收层渐变结构达到提高探测器的性能，特别在探测器的探测频率、噪声影响都有极大的改善，能够有效地提高探测器的增益带宽积。另外，本发明所涉及的探测器制备，工艺简单，可重复性高。
一种红外光子探测器

[实用新型]一种石油测井用冷、热中子探测器-CN201921842532.4有效
发明人：张小东;何锦成;王政婷 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G01V5/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种石油测井用冷、热中子探测器，其包括有探测器主体、设置在探测器主体底端的光电倍增管以及设置于探测器主体和光电倍增管之间的耦合层，还包括有设置在探测器主体外围的锂玻璃纤维层以及设置于锂玻璃纤维层外端面上的全反射层，探测器主体与锂玻璃纤维层通过浇注成形工艺形成一个整体的芯玻璃层；本方案中的探测器上的锂玻璃纤维层通过多层玻璃纤维紧密布置而成，并且其与探测器主体采用浇注成形工艺制作成一个整体的芯玻璃层整体，整个探测器的制作也更加容易，并且相比传统的探测器其锂玻璃的用量更少，从而提高探测器的制作经济性。
一种石油测井热中子探测器

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